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1N5408

Diode 1N5408

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Diode silicium 1000V 3A. Trr<5us. Tension de seuil:1.1V. Boîtier: DO-27 9.2x5.2mm. Stock disponible actuellement: 188 (dernière actualisation: 27/04/2024, 14:39).

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Documentation technique 1N5408
(PDF: 414 ko)

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