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Transistor BUZ80 N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IEC. Boîtier: SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W. Actuellement en rupture de stock.
Quantité
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