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BUZ906

Transistor BUZ906

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Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -8A. Puissance: 125W. Paire: BUZ901. Boîtier: TO3. Stock disponible actuellement: 1 (dernière actualisation: 06/05/2024, 19:48).

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Documentation technique BUZ906
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