Transistor FGA60N65SMD

N-IGBT 650V 120A/180Ap 600W Vce(sat)1.9V - 2.1V. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: FGA60N65CMS. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO-3PN. Type de canal: Canal N. Vceo: 650 V. Consommation 120 A. Ic(T-100°C): 60 A. Ic(puls): 180 A. Puissance: 600 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VCE(sat): 1,9 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 18 nS. Td(off): 104 nS. C (in): 2915 pF. C (out): 270 pF. Température: -55°C...+175°C. Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS. Note: Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.9 V(Typ.) @ IC=60A. Technologie: Field Stop IGBT. Stock disponible actuellement: 26 (dernière actualisation: 22/11/2024, 13:25). Produit garanti d'origine contructeur International Rectifier.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	24.98€
2+	20.47€

Prix pour de plus grandes quantités, contactez-nous.

Documentation technique FGA60N65SMD
(PDF: 343 ko)

Votre commande chez vous sous 2-3 jours pour seulement 6.90EUR par commande! Port offert à partir de 80EUR