Transistor FGL60N100BNTD

N-IGBT+D 1000V 60A/200Ap 180W (42A) Vce(sat)1.5V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FGL60N100BNTD. Jelzés a tokon: G60N100BNTD. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 3L. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 1000 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 42 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 180 W. VGE: 25 V. VGE(th) min.: 4 V. VCE(sat): 1,5 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 140 nS. Td(off): 630 nS. C (in): 6000 pF. C (out): 260 pF. Üzemi hõmér.: -55...+150°C. Fréquence de l´horlogenction: Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Telecom, ESS. Lot: 25 DB. Type d´emballage: Tube. Actuellement en rupture de stock. Produit garanti d'origine contructeur Fairchild Semiconductor.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	17.35€
2+	14.75€

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Documentation technique FGL60N100BNTD
(PDF: 390 ko)

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