Transistor GT30F131

N-IGBT 360V 30A/200Ap 140W Vce(sat)1.9V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30F131. Implantation: Felület szerelt (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO-220SM (MXN). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 360 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 140 W. VCE(sat): 1,9 V. VCE(sat)max.: 1,9 V. Diode CE: No. Diode au germanium: No.. Fréquence de l´horlogenction: High Power Switching Applications. Note: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs. Actuellement en rupture de stock. Produit garanti d'origine contructeur Toshiba.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	8.90€
2+	7.30€

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Documentation technique GT30F131
(PDF: 634 ko)

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