Transistor GT30G122

N-IGBT 400V 30A/120Ap 25W Vce(sat)2.6V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30G122. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO-220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 400 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 25 W. VCE(sat): 2,6 V. VCE(sat)max.: 2,6 V. Diode CE: No. Diode au germanium: No.. Fréquence de l´horlogenction: High Power Switching Applications. Note: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs. Stock disponible actuellement: 8 (dernière actualisation: 20/04/2025, 20:13). Produit garanti d'origine contructeur Toshiba.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	10.81€
2+	8.86€

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Documentation technique GT30G122
(PDF: 634 ko)

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