Transistor GT30J124

N-IGBT 600V 30A/200Ap 26W Vce(sat)2.4V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30J124. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 26 W. VCE(sat): 2,4 V. VCE(sat)max.: 2,4 V. Diode CE: No. Diode au germanium: No.. Fréquence de l´horlogenction: High Power Switching Applications. Note: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs. Actuellement en rupture de stock. Produit garanti d'origine contructeur Toshiba.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	8.85€
2+	7.52€

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Documentation technique GT30J124
(PDF: 855 ko)

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