Transistor GT60M303

N-IGBT+D 900V 60A/120Ap 170W Vce(sat)1.6V. Constructeur: TOSHIBA. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 (2-21F2C). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 900 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 50 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 170 W. VGE: 25 V. VGE(th) min.: 3 V. VGE(th)max.: 6 V. VCE(sat): 1,6 V. VCE(sat)max.: 2,7 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 0,35 uS. Td(off): 0,6 uS. C (in): 3800 pF. Üzemi hõmér.: -55°C...+150°C. Fréquence de l´horlogenction: High power switching applications. Note: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs. Actuellement en rupture de stock. Produit garanti d'origine contructeur Toshiba.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	30.65€
2+	26.05€

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Documentation technique GT60M303
(PDF: 394 ko)

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