Transistor HGTG10N120BND

N-IGBT 1200V 35A/80Ap 298W Vce(sat)2.45V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Jelzés a tokon: 10N120BND. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 1200 V. Consommation 35 A. Ic(T-100°C): 17 A. Ic(puls): 80 A. Puissance: 298 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 6 V. VGE(th)max.: 6,8 V. VCE(sat): 2,45 V. VCE(sat)max.: 2,7 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 23 nS. Td(off): 165 nS. Technologie: NPT series IGBT with anti-paralell hyperfast diode. Üzemi hõmér.: -55°C...+150°C. Stock disponible actuellement: 47 (dernière actualisation: 21/04/2025, 06:59). Produit garanti d'origine contructeur Fairchild Semiconductor.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	15.12€
2+	12.39€

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Documentation technique HGTG10N120BND
(PDF: 107 ko)

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