Transistor IGW75N60H3

N-IGBT 600V 140A/225Ap 428W Vce(sat)1.85V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: IGW75N60H3. Jelzés a tokon: G75H603. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 140 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 428 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 4,1 V. VGE(th)max.: 5,7 V. VCE(sat): 1,85 V. VCE(sat)max.: 2,25 V. Diode CE: No. Diode au germanium: No.. Td(on): 31 nS. Td(off): 265 nS. C (in): 4620 pF. C (out): 240 pF. Üzemi hõmér.: -40°C...+175°C. Fréquence de l´horlogenction: Very low VCEsat. Note: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology. Stock disponible actuellement: 30 (dernière actualisation: 23/11/2024, 15:40). Produit garanti d'origine contructeur Infineon Technologies.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	22.51€
2+	18.45€

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Documentation technique IGW75N60H3
(PDF: 1.5 Mo)

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