Transistor IKW30N60H3

N-IGBT+D 600V 60A/120Ap 187W Vce(sat)1.95V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: KW30N60H3FKSA1 SP0007-03042. Jelzés a tokon: K30N603. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 30 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 187 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 4,1 V. VCE(sat): 1,95 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 21 nS. Td(off): 207 nS. C (in): 1630 pF. C (out): 107 pF. Üzemi hõmér.: -40°C...175°C. Fréquence de l´horlogenction: High Speed Switchihg, Very Low VCEsat. Note: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology. Stock disponible actuellement: 18 (dernière actualisation: 09/05/2025, 07:49). Produit garanti d'origine contructeur Infineon Technologies.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	16.63€
2+	13.63€

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Documentation technique IKW30N60H3
(PDF: 1.6 Mo)

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