Transistor IKW75N60T

N-IGBT+D 600V 80A/225Ap 428W Vce(sat)1.5V. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: IKW50N60TFKSA1. Jelzés a tokon: K75T60. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO-247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 80 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 428 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 4,1 V. VGE(th)max.: 5,7 V. VCE(sat): 1,5 V. VCE(sat)max.: 1,9 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 33 nS. Td(off): 330 nS. C (in): 4620 pF. C (out): 288 pF. Üzemi hõmér.: -40°C...+175°C. Fréquence de l´horlogenction: Very low VCEsat. Note: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology. Stock disponible actuellement: 65 (dernière actualisation: 09/05/2025, 07:49). Produit garanti d'origine contructeur Infineon Technologies.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	25.70€
2+	21.07€

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Documentation technique IKW75N60T
(PDF: 854 ko)

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