Transistor IRF8707G

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 11A 2.5W 0.119R. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF8707GPbF. Marquage boîtier: IRF8707G. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-8. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 11A. Puissance: 2.5 W. Id(T:100): 9.1A. Id(imp): 88 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 150 uA. Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 1.35V. Vgs(th) max.: 2.35V. Rds(on): 0.142 Ohm. Diode de protection intégrée: Zéner. Diode de protection intégrée: Diode. C (in): 760pF. C (out): 170pF. Td(on): 17ns. Td(off): 7.3ns. Diode Trr(Min.): 12ns. Plage de température de fonctionnement: -50°C à +150°C. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Stock disponible actuellement: 40 (dernière actualisation: 24/11/2024, 09:27). Produit garanti d'origine contructeur International Rectifier.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1 - 4	2.69€
5+	2.20€

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Documentation technique IRF8707G
(PDF: 232 ko)

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