Transistor IXFK90N30

Transistor MOSFET canal N 300V 90A/360Ap 560W 0.033R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264AA. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 300V. Id(T:25): 90A. Puissance: 500 W. Id(T:100): 75A. Id(imp): 360 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4V. Rds(on): 33 mOhm. Diode de protection intégrée: Diode. C (in): 10000pF. C (out): 1800pF. Td(on): 42ns. Td(off): 100ns. Diode Trr(Min.): 250ns. Plage de température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Note: dv/dt: 5V/ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Stock disponible actuellement: 12 (dernière actualisation: 22/11/2024, 19:10). Produit garanti d'origine contructeur Ixys.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	34.05€
2+	27.91€

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Documentation technique IXFK90N30
(PDF: 124 ko)

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