Transistor IXFX34N80

Transistor MOSFET canal N 800V 34A/136Ap 560W 0.24R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: PLUS247. Boîtier: PLUS247. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 800V. Id(T:25): 34A. Puissance: 560 W. Id(imp): 136 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Rds(on): 0.24 Ohm. Diode de protection intégrée: Diode. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Td(on): 45ns. Td(off): 100ns. Diode Trr(Min.): 250ns. Plage de température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Single MOSFET Die. Note: dv/dt: 5V/ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Stock disponible actuellement: 30 (dernière actualisation: 22/11/2024, 05:54). Produit garanti d'origine contructeur Ixys.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	53.59€
2+	43.93€

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Documentation technique IXFX34N80
(PDF: 49 ko)

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