Transistor IXTQ36N30P

Transistor MOSFET canal N 300V 36A/90Ap 300W 0.092R (36A). Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 300V. Id(T:25): 36A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 36A. Id(imp): 90 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 200 uA. Vgs: 30V. Vgs(th) min.: 3V. Vgs(th) max.: 5.5V. Rds(on): 92 mOhm. Diode de protection intégrée: Diode. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Td(on): 24ns. Td(off): 97ns. Diode Trr(Min.): 250ns. Plage de température de fonctionnement: -55°C à +150°C. N-Channel Enhancement Mode. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Stock disponible actuellement: 13 (dernière actualisation: 23/11/2024, 01:36). Produit garanti d'origine contructeur Ixys.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	21.50€
2+	17.63€

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Documentation technique IXTQ36N30P
(PDF: 253 ko)

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