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J112

Transistor J112

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Transistor FET canal N (N-FET) 35V Idss 5mA Up<5V. Vds(max): 35V. Id(@25ºC): 5mA. Puissance: 625 mW. Boîtier: TO-92. Stock disponible actuellement: 166 (dernière actualisation: 21/11/2024, 14:03).

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Documentation technique J112
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