Transistor SGH30N60RUFD

N-IGBT+D 600V 48A/90Ap 235W (30A) Vce(sat)2.2V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: SGH30N60RUFDTU. Jelzés a tokon: G30N60RUFD. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-3PN (2-16C1B). Boîtier: TO3PN. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 48 A. Ic(T-100°C): 30 A. Ic(puls): 90 A. Puissance: 235 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 5 V. VCE(sat): 2,2 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 30 nS. Td(off): 54 nS. C (in): 1970 pF. C (out): 310 pF. Üzemi hõmér.: -55°C...+150°C. Fréquence de l´horlogenction: High Speed IGBT. Note: Ic25°C:48A, Ic110°C:30A, Icm:90A. Lot: 30 DB. Type d´emballage: Tube. Stock disponible actuellement: 44 (dernière actualisation: 07/11/2024, 00:53). Produit garanti d'origine contructeur Fairchild Semiconductor.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	13.30€
2+	11.30€

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Documentation technique SGH30N60RUFD
(PDF: 705 ko)

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