Transistor SPB80N04S2-H4

Transistor MOSFET canal N CMS 40V 80A/320Ap 300W 0.0034R. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: Q67060-S6013. Marquage boîtier: 2N04H4. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO263. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 80A. Puissance: 300 W. Id(imp): 320 Ap. Idss (min): 0.01 uA. Idss (max): 1 uA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Rds(on): 3.4 mOhm. Diode de protection intégrée: Zéner. C (in): 4480pF. C (out): 1580pF. Td(on): 14ns. Td(off): 46ns. Diode Trr(Min.): 195ns. Plage de température de fonctionnement: -55°C à +175°C. Enhancement mode. Technologie: Opti MOS Power-Transistor. Stock disponible actuellement: 58 (dernière actualisation: 22/11/2024, 22:05). Produit garanti d'origine contructeur Infineon Technologies.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1 - 2	5.26€
3+	4.31€

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Documentation technique SPB80N04S2-H4
(PDF: 436 ko)

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