Transistor FGY75N60SMD

N-IGBT+D 600V 150A/225Ap 428W Vce(sat)1.9V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: Powwer TO-247D03. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 150 A. Ic(T-100°C): 75 A. Ic(puls): 225 A. Puissance: 750 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,5 V. VGE(th)max.: 6,5 V. VCE(sat): 1,9 V. VCE(sat)max.: 2,14 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 24 nS. Td(off): 136 nS. C (in): 3800 pF. C (out): 390 pF. Üzemi hõmér.: -55°C...+175°C. Fréquence de l´horlogenction: Field Stop IGBT, Low VCEsat,. Note: High Input Impedance, Fast Switching: E OFF=10 uJ/A. Actuellement en rupture de stock. Produit garanti d'origine contructeur Fairchild Semiconductor.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	26.66€
2+	21.85€

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Documentation technique FGY75N60SMD
(PDF: 603 ko)

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