Transistor GT60M104

N-IGBT 900V 60A/120Ap 200W Vce(sat)2.4V. Constructeur: TOSHIBA. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-264 (TOP-3L). Boîtier: TO264 (2-21F2C). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 900 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 50 A. Ic(puls): 120 A. Puissance: 200 W. VGE: 25 V. VGE(th) min.: 3 V. VGE(th)max.: 6 V. VCE(sat): 2,4 V. VCE(sat)max.: 3,7 V. Diode CE: No. Diode au germanium: No.. Td(on): 0,35 uS. Td(off): 0,5 uS. C (in): 5300 pF. Üzemi hõmér.: -55°C...+150°C. Fréquence de l´horlogenction: High power switching applications. Note: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs. Actuellement en rupture de stock. Produit garanti d'origine contructeur Toshiba.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	32.93€
2+	26.99€

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Documentation technique GT60M104
(PDF: 254 ko)

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