Transistor STGW20NC60VD

N-IGBT+D 600V 60A/150Ap 200W Vce(sat)1.8V. Constructeur: STMicroelectronics. Code constructeur: STGW20NC60VD. Jelzés a tokon: GW20NC60VD. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247AC. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 60 A. Ic(T-100°C): 30 A. Ic(puls): 150 A. Puissance: 200 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3,75 V. VGE(th)max.: 5,75 V. VCE(sat): 1,8 V. VCE(sat)max.: 2,5 V. Diode CE: Diode. Diode au germanium: No.. Td(on): 31 nS. Td(off): 100 nS. C (in): 2200 pF. C (out): 225 pF. Üzemi hõmér.: -55°C...+150°C. Fréquence de l´horlogenction: High frequency inverters, UPS. Note: Very Fast PowerMESH IGBT. Stock disponible actuellement: 52 (dernière actualisation: 22/11/2024, 18:08). Produit garanti d'origine contructeur Stmicroelectronic.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1	13.94€
2+	11.43€

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Documentation technique STGW20NC60VD
(PDF: 340 ko)

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