Transistor GT30F124

N-IGBT 300V 30A/200Ap 25W Vce(sat)2.3V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30F124. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO-220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 300 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 25 W. VCE(sat): 2,3 V. VCE(sat)max.: 2,3 V. Diode CE: No. Diode au germanium: No.. Fréquence de l´horlogenction: High Power Switching Applications. Note: Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs. Actuellement en rupture de stock. Produit garanti d'origine contructeur Toshiba.

Quantité	Tarif Unitaire TTC
1 - 2	7.06€
3+	5.78€

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Documentation technique GT30F124
(PDF: 855 ko)

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