Transistor canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Description technique du produit (FQP13N50):

Transistor canal N FQP13N50, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V